Транзистор SIHB12N50C
SIHB12N50C - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 208 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.555 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 32 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 165 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHB12N50C можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHG14N50D |
PTH |
N |
208 |
500 |
30 |
5 |
14 |
0.4 |
29 |
27 |
100 |
150 |
TO-247AC |
| SIHP12N50C |
PTH |
N |
208 |
500 |
30 |
5 |
12 |
0.555 |
32 |
35 |
165 |
150 |
TO-220AB |
| SIHP14N50D |
PTH |
N |
208 |
500 |
30 |
5 |
14 |
0.4 |
29 |
27 |
100 |
150 |
TO-220AB |