Транзистор SIHB22N60S
SIHB22N60S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 22 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.19 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 75 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 68 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1480 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHB22N60S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHF22N60S |
PTH |
N |
250 |
600 |
20 |
4 |
22 |
0.19 |
75 |
68 |
1480 |
150 |
TO-220FP |
| SIHG22N60S |
PTH |
N |
250 |
600 |
30 |
4 |
22 |
0.19 |
75 |
68 |
1480 |
150 |
TO-247AC |
| SIHP22N60S |
PTH |
N |
250 |
600 |
20 |
4 |
22 |
0.19 |
75 |
68 |
1480 |
150 |
TO-220AB |