Транзистор SIHB8N50D

SIHB8N50D - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.7 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.85 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 15 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 52 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SIHB8N50D можно заменить на:

Нет элементов для замены