Транзистор SIHD12N50E
SIHD12N50E - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 114 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.38 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 52 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHD12N50E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHB12N50E |
SMD |
N |
114 |
500 |
30 |
4 |
10.5 |
0.38 |
25 |
16 |
52 |
150 |
TO-263 |
| SIHP12N50E |
PTH |
N |
114 |
500 |
30 |
4 |
10.5 |
0.38 |
25 |
16 |
52 |
150 |
TO-220AB |