Транзистор SIHF840AS
SIHF840AS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.85 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 38 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 155 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHF840AS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF840ALPBF |
PTH |
N |
125 |
500 |
30 |
4 |
8 |
0.85 |
38 |
23 |
155 |
150 |
TO-262 |
| IRF840APBF |
PTH |
N |
125 |
500 |
30 |
4 |
8 |
0.85 |
38 |
23 |
155 |
150 |
TO-220AB |
| IRF840ASPBF |
SMD |
N |
125 |
500 |
30 |
4 |
8 |
0.85 |
38 |
23 |
155 |
150 |
TO-263 |
| SIHB12N65E |
SMD |
N |
156 |
650 |
30 |
4 |
12 |
0.38 |
35 |
19 |
65 |
150 |
TO-263 |
| SIHF840AL |
PTH |
N |
125 |
500 |
30 |
4 |
8 |
0.85 |
38 |
23 |
155 |
150 |
TO-262 |
| SIHP12N65E |
PTH |
N |
156 |
650 |
30 |
4 |
12 |
0.38 |
35 |
19 |
65 |
150 |
TO-220AB |