Справочник электронных компонентов

Транзистор SIHFBE20

SIHFBE20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 54 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.8 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6.5 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 38 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 150 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SIHFBE20 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT904R2AN	PTH	N	150	900	30	4	3.5	4.2	35	10	115	150	TO-3
APT904R2BN	PTH	N	180	900	30	4	4	4.2	35	10	115	150	TO-247
APT904RAN	PTH	N	150	900	30	4	3.9	4	35	10	115	150	TO-3
APT904RBN	PTH	N	180	900	30	4	4.4	4	35	10	115	150	TO-247
CS3N80A3	PTH	N	75	800	30	4	3	4.8	18	15	50	150	TO-251
CS3N80A4	SMD	N	75	800	30	4	3	4.8	18	15	50	150	TO-252
CS3N80A8	PTH	N	75	800	30	4	3	4.8	18	15	50	150	TO-220AB
IRFBE20PBF	PTH	N	54	800	20	4	1.8	6.5	38	17	150	150	TO-220AB
SML1004R2GXN	PTH	N	100	1000	30	4	3	4.2	35	12	115	150	TO-257