Справочник электронных компонентов

Транзистор SIHFBE30S

SIHFBE30S - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор SIHFBE30S можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AP09N90W PTH N 240 900 30 4 8.6 1.2 67.1 10.3 221 150 TO-3P
APT902R4BN PTH N 240 900 30 4 6.5 2.4 66 13 230 150 TO-247
APT902RBN PTH N 240 900 30 4 7 2 66 13 230 150 TO-247
CS10N80A8D PTH N 160 800 30 4 10 0.9 65 10 200 150 TO-220AB
CS9N90ANHD PTH N 150 900 30 4 9 1.3 65 9 185 150 TO-3P
IRFBE30L PTH N 125 800 20 4 4.1 3 78 33 310 150 TO-262
IRFBE30LPBF PTH N 125 800 20 4 4.1 3 78 33 310 150 TO-262
IRFBE30PBF PTH N 125 800 20 4 4.1 3 78 33 310 150 TO-220AB
IRFBE30S SMD N 125 800 20 4 4.1 3 78 33 310 150 TO-263
IRFBE30SPBF SMD N 125 800 20 4 4.1 3 78 33 310 150 TO-263
PJZ6NA90 PTH N 192 900 30 4 6 2.3 23.6 28 101 150 TO-3PL
PJZ9NA90 PTH N 240 900 30 4 9 1.4 31 31 143 150 TO-3PL
SIHFBE30 PTH N 125 800 20 4 4.1 3 78 33 310 150 TO-220AB
SIHFBE30L PTH N 125 800 20 4 4.1 3 78 33 310 150 TO-262
SIHFPE30 PTH N 125 800 20 4 4.1 3 78 33 310 150 TO-247AC
SML902R4BN PTH N 240 900 30 4 6.5 2.4 66 13 230 150 TO-247
SML902RBN PTH N 240 900 30 4 7 2 66 13 230 150 TO-247
SSM09N90GW PTH N 240 900 30 4 8.6 1.2 67.1 10.3 221 150 TO-247
TK7J90E PTH N 200 900 30 4 7 2 32 20 110 150 TO-3P
TMAN8N80 PTH N 265 800 30 4 8 1.4 46 30 146 150 TO-3PN
TMP8N80 PTH N 250 800 30 4 8 1.4 46 30 146 150 TO-220
TSM8N80CZ PTH N 250 800 30 4 8 1.4 41 30 146 150 TO-220