Транзистор SIHFBF20S
SIHFBF20S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 54 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 900 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 38 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 21 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 55 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHFBF20S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFBF20PBF |
PTH |
N |
54 |
900 |
20 |
4 |
1.7 |
8 |
38 |
21 |
55 |
150 |
TO-220AB |
| IRFBF20SPBF |
SMD |
N |
54 |
900 |
20 |
4 |
1.7 |
8 |
38 |
21 |
55 |
150 |
TO-263 |
| SIHFBF20 |
PTH |
N |
54 |
900 |
20 |
4 |
1.7 |
8 |
38 |
21 |
55 |
150 |
TO-220AB |
| SIHFBF20L |
PTH |
N |
54 |
900 |
20 |
4 |
1.7 |
8 |
38 |
21 |
55 |
150 |
TO-262 |