Транзистор SIHFD320
SIHFD320 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: HVMDIP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.49 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHFD320 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFD320PBF |
PTH |
N |
1 |
400 |
20 |
4 |
0.49 |
1.8 |
20 |
14 |
120 |
150 |
DIP-4 |
| STL6NM60N |
SMD |
N |
2.1 |
600 |
25 |
4 |
1 |
0.92 |
13 |
8 |
30 |
150 |
PowerFLAT5X5 |