Транзистор SIHFD9010
SIHFD9010 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: HVMDIP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 7.2 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 47 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 160 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHFD9010 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFD9010 |
PTH |
P |
1 |
50 |
20 |
4 |
1.1 |
0.5 |
7.2 |
47 |
160 |
150 |
DIP-4 |
| IRFD9010PBF |
PTH |
P |
1 |
50 |
20 |
4 |
1.1 |
0.5 |
7.2 |
47 |
160 |
150 |
DIP-4 |
| STN3P6F6 |
SMD |
P |
2.6 |
60 |
20 |
4 |
3 |
0.16 |
6.4 |
5.3 |
40 |
175 |
SOT-223 |
| STS3P6F6 |
SMD |
P |
2.7 |
60 |
20 |
4 |
3 |
0.16 |
6.4 |
5.3 |
40 |
150 |
SO-8 |