Транзистор SIHFL110
SIHFL110 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.54 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 8.3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 81 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHFL110 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFU110PBF |
PTH |
N |
25 |
100 |
20 |
4 |
4.3 |
0.54 |
8.3 |
16 |
81 |
150 |
TO-251 |
| PHT2NQ10T |
SMD |
N |
6.25 |
100 |
20 |
4 |
2.5 |
0.43 |
5.1 |
7.7 |
29 |
150 |
SOT-223 |
| SIHFR110 |
SMD |
N |
25 |
100 |
20 |
4 |
4.3 |
0.54 |
8.3 |
16 |
80 |
150 |
TO-252 |
| SIHFU110 |
PTH |
N |
25 |
100 |
20 |
4 |
4.3 |
0.54 |
8.3 |
16 |
81 |
150 |
TO-251 |