Транзистор SIHFL214
SIHFL214 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.79 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 8.2 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 42 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHFL214 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFU214PBF |
PTH |
N |
25 |
250 |
20 |
4 |
2.2 |
2 |
8.2 |
7.6 |
42 |
150 |
TO-251 |
| SIHFR214 |
SMD |
N |
25 |
250 |
20 |
4 |
2.2 |
2 |
8.2 |
7.6 |
42 |
150 |
TO-252 |
| SIHFU214 |
PTH |
N |
25 |
250 |
20 |
4 |
2.2 |
2 |
8.2 |
7.6 |
42 |
150 |
TO-251 |