Транзистор SIHFR120
SIHFR120 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 42 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.27 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 27 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 150 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHFR120 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y113-100E |
SMD |
N |
45 |
100 |
20 |
4 |
12 |
0.113 |
10.4 |
5.9 |
72 |
175 |
LFPAK56 |
| CHM12N10PAGP |
SMD |
N |
43 |
100 |
20 |
4 |
11 |
0.18 |
8 |
7 |
90 |
150 |
TO-252 |
| IRFU120PBF |
PTH |
N |
42 |
100 |
20 |
4 |
7.7 |
0.27 |
16 |
27 |
150 |
150 |
TO-251 |
| SIHFU120 |
PTH |
N |
42 |
100 |
20 |
4 |
7.7 |
0.27 |
16 |
27 |
150 |
150 |
TO-251 |
| STD10NF10-1 |
PTH |
N |
50 |
100 |
20 |
4 |
13 |
0.13 |
15.3 |
25 |
70 |
175 |
IPAK |
| STD10NF10T4 |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
4 |
13 |
0.13 |
15.3 |
25 |
70 |
175 |
DPAK |