Транзистор SIHFR9010
SIHFR9010 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 47 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 160 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHFR9010 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFR9010PBF |
SMD |
P |
25 |
50 |
20 |
4 |
5.3 |
0.5 |
6.1 |
47 |
160 |
150 |
TO-252 |
| IRFU9010PBF |
PTH |
P |
25 |
50 |
20 |
4 |
5.3 |
0.5 |
6.1 |
47 |
160 |
150 |
TO-251 |
| SIHFU9010 |
PTH |
P |
25 |
50 |
20 |
4 |
5.3 |
0.5 |
6.1 |
47 |
160 |
150 |
TO-251 |