Транзистор SIHFS9N60A
SIHFS9N60A - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 170 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.75 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 49 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHFS9N60A можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFB9N60APBF |
PTH |
N |
170 |
600 |
30 |
4 |
9.2 |
0.75 |
49 |
25 |
180 |
150 |
TO-220AB |
| IRFS9N60APBF |
SMD |
N |
170 |
600 |
30 |
4 |
9.2 |
0.75 |
49 |
25 |
180 |
150 |
TO-263 |
| IRFSL9N60APBF |
PTH |
N |
170 |
600 |
30 |
4 |
9.2 |
0.75 |
49 |
25 |
180 |
150 |
TO-262 |
| SIHFB9N60A |
PTH |
N |
170 |
600 |
30 |
4 |
9.2 |
0.75 |
49 |
25 |
180 |
150 |
TO-220AB |
| SIHFSL9N60A |
PTH |
N |
170 |
600 |
30 |
4 |
9.2 |
0.75 |
49 |
25 |
180 |
150 |
TO-262 |