Транзистор SIHLD110

SIHLD110 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: HVMDIP

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.3 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.54 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 6.1 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.7 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SIHLD110 можно заменить на:

Нет элементов для замены