Транзистор SIHP12N60E
SIHP12N60E - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 147 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.38 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 29 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 53 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHP12N60E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHB12N60E |
SMD |
N |
147 |
600 |
20 |
4 |
12 |
0.38 |
29 |
19 |
53 |
150 |
TO-263 |
| STB24N65M2 |
SMD |
N |
150 |
650 |
25 |
4 |
16 |
0.23 |
29 |
9.5 |
47.5 |
150 |
D2PAK |
| STP24N65M2 |
PTH |
N |
150 |
650 |
25 |
4 |
16 |
0.23 |
29 |
9.5 |
47.5 |
150 |
TO-220 |