Справочник электронных компонентов

Транзистор SIHW30N60E

SIHW30N60E - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор SIHW30N60E можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
SIHB30N60E SMD N 250 600 20 4 29 0.125 85 32 138 150 TO-263
SIHG30N60E PTH N 250 600 30 4 29 0.125 85 32 138 150 TO-247AC
SIHP30N60E PTH N 250 600 20 4 29 0.125 85 32 138 150 TO-220AB
STB40N60M2 SMD N 250 600 25 4 34 0.088 57 13.5 117 150 D2PAK
STI40N65M2 PTH N 250 650 25 4 32 0.099 56.5 10 102 150 I2PAK
STP40N60M2 PTH N 250 600 25 4 34 0.088 57 13.5 117 150 TO-220
STP40N65M2 PTH N 250 650 25 4 32 0.099 56.5 10 102 150 TO-220
STW40N60M2 PTH N 250 600 25 4 34 0.088 57 13.5 117 150 TO-247
STW40N65M2 PTH N 250 650 25 4 32 0.099 56.5 10 102 150 TO-247