Транзистор SIJ400DP
SIJ400DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8L
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 26.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 100 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 930 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIJ400DP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIJ458DP |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
2.5 |
35.5 |
0.0022 |
81 |
10 |
892 |
150 |
SO-8L |
| SIR158DP |
SMD |
N |
5.4 |
30 |
20 |
2.5 |
40 |
0.0018 |
87 |
9 |
915 |
150 |
SO-8 |
| SIR414DP |
SMD |
N |
5.4 |
40 |
20 |
2.5 |
33 |
0.0028 |
78 |
9 |
610 |
150 |
SO-8 |
| SM3114NAU |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.5 |
75 |
0.0036 |
37 |
10 |
440 |
150 |
TO-252 |
| SQ4182EY |
SMD |
N |
7.1 |
30 |
20 |
2.5 |
32 |
0.0038 |
72 |
10 |
868 |
175 |
SO-8 |