Транзистор SIR164DP
SIR164DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 69 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0032 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 41 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 740 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIR164DP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6156 |
SMD |
N |
78 |
45 |
20 |
2.5 |
100 |
0.0026 |
- |
19 |
545 |
150 |
DFN5X6 |
| QM3018D |
PTH |
N |
89.3 |
30 |
20 |
2.5 |
155 |
0.003 |
56.9 |
6.3 |
725 |
175 |
TO-220 |
| QM3018P |
PTH |
N |
149 |
30 |
20 |
2.5 |
182 |
0.003 |
56.9 |
6.3 |
725 |
150 |
TO-220 |