Транзистор SIR826DP

SIR826DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SO-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 6.25 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.8 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0048 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 60 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1870 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SIR826DP можно заменить на:

Нет элементов для замены