Транзистор SIRA06DP
SIRA06DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 33.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 51 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1040 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIRA06DP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIRA04DP |
SMD |
N |
5 |
30 |
16 |
2.2 |
35.9 |
0.00215 |
51 |
10 |
1040 |
150 |
SO-8 |