Транзистор SM1A00NSG

SM1A00NSG - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 312 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 180 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 980 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SM1A00NSG можно заменить на:

Нет элементов для замены