Транзистор SM1A63NHK
SM1A63NHK - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0105 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 690 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SM1A63NHK можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19531Q5A |
SMD |
N |
3.3 |
100 |
20 |
3.3 |
16 |
0.0064 |
37 |
5.8 |
560 |
150 |
SON5X6 |
| CSD19533Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
100 |
20 |
3.4 |
13 |
0.0094 |
27 |
6 |
395 |
150 |
SON5X6 |
| SIJ470DP |
SMD |
N |
5 |
100 |
20 |
3.5 |
17.4 |
0.0091 |
36.9 |
8 |
470 |
150 |
SO-8L |