Транзистор SM2013PSKP

SM2013PSKP - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DFN5X6-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 78 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.003 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1355 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SM2013PSKP можно заменить на:

Нет элементов для замены