Транзистор SM2202NSQE
SM2202NSQE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN2X2-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.66 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0155 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 100 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SM2202NSQE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON7414 |
SMD |
N |
15.5 |
30 |
20 |
2.2 |
20 |
0.015 |
- |
3.5 |
98 |
150 |
DFN3X3 |
| CSD17579Q3A |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
1.9 |
11 |
0.0102 |
5.3 |
5 |
93 |
150 |
SON3.3X3.3 |
| CSD17579Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2 |
14 |
0.0097 |
5.4 |
7 |
95 |
150 |
SON5X6 |
| MTN4800V8 |
SMD |
N |
8 |
30 |
20 |
- |
18 |
0.014 |
- |
5 |
61 |
150 |
DFN3X3 |
| RQ3G100GN |
SMD |
N |
2 |
40 |
20 |
2.5 |
10 |
0.0143 |
8.4 |
4.2 |
100 |
150 |
HSMT8 |
| SM2202NSQG |
SMD |
N |
1.66 |
30 |
20 |
- |
12 |
0.0155 |
- |
8 |
100 |
150 |
DFN2X2-6 |