Справочник электронных компонентов

Транзистор SM2211PSQG

SM2211PSQG - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DFN2X2-6

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.9 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.027 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 150 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SM2211PSQG можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
MTP4835AQ8	SMD	P	3.1	30	25	-	10	0.018	-	39	143	150	SOP-8
MTP4835L3	SMD	P	3.3	30	25	-	13	0.021	251	5	141	175	SOT-223
MTP4835Q8	SMD	P	3.1	30	25	-	10	0.017	-	39	143	150	SOP-8
MTP6405N6	SMD	P	3.2	30	20	-	8.2	0.024	-	7	143	150	SOT-26
MTP9435BDYAQ8	SMD	P	2.5	30	20	-	8.4	0.023	-	7	143	150	SOP-8
MTP9435BDYQ8	SMD	P	2.5	30	20	-	8.4	0.022	-	7	143	150	SOP-8
PB555BA	SMD	P	2.7	30	20	-	8	0.025	-	18	133	150	PDFN2X2S
PV551BA	SMD	P	3	30	25	-	9	0.02	-	17	150	150	SOP-8
SM3201PSQA	SMD	P	2.5	30	20	-	7.9	0.027	-	8	150	150	DFN3X2-8
SM4310PSK	SMD	P	3.1	30	20	-	9.3	0.024	-	8	150	150	SOP-8