Транзистор SM3320NSQG
SM3320NSQG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN3X3D-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 29 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 49 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0078 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 260 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SM3320NSQG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6246 |
SMD |
N |
83 |
60 |
20 |
2.5 |
80 |
0.0064 |
- |
2 |
258 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6536 |
SMD |
N |
35.5 |
30 |
20 |
2.5 |
55 |
0.007 |
- |
3 |
210 |
150 |
DFN5X6 |
| AP0704GMT-HF |
SMD |
N |
44.6 |
40 |
20 |
- |
62 |
0.007 |
- |
6.5 |
235 |
150 |
PMPAK5X6 |
| BUK758R3-40E |
PTH |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0074 |
24 |
9 |
260 |
175 |
TO-220AB |
| BUK768R1-40E |
SMD |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0072 |
24 |
9 |
260 |
175 |
D2PAK |
| BUK7E8R3-40E |
PTH |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0058 |
24 |
9 |
260 |
175 |
I2PAK |
| MEN09N03BJ3 |
SMD |
N |
60 |
30 |
20 |
- |
50 |
0.007 |
- |
6 |
176 |
175 |
TO-252 |
| MTB09N03H8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
56 |
0.007 |
- |
6 |
176 |
150 |
DFN5X6 |
| MTB6D0N03AH8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
56 |
0.0068 |
- |
4 |
153 |
150 |
DFN5X6 |
| MTB6D0N03ATH8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
56 |
0.0068 |
- |
4 |
153 |
150 |
DFN5X6 |
| QM4006D |
SMD |
N |
44.6 |
40 |
20 |
2.5 |
60 |
0.0075 |
18.8 |
2.6 |
193 |
150 |
TO-252 |
| SM4336NSKP |
SMD |
N |
36.7 |
30 |
20 |
- |
65 |
0.0053 |
- |
9 |
247 |
150 |
DFN5X6-8 |
| SM4337NSKP |
SMD |
N |
32.1 |
30 |
20 |
- |
55 |
0.0071 |
- |
7.6 |
178 |
150 |
DFN5X6-8 |