Транзистор SM6019NSU
SM6019NSU - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 46 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0115 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 245 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SM6019NSU можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HY1607P |
PTH |
N |
160 |
68 |
25 |
4 |
70 |
0.007 |
- |
13 |
190 |
175 |
TO-220 |
| SM6019NSF |
PTH |
N |
83 |
60 |
25 |
- |
60 |
0.0115 |
- |
18 |
245 |
175 |
TO-220 |
| SM6028NSKP |
SMD |
N |
52 |
63 |
25 |
- |
50 |
0.0108 |
- |
9.5 |
218 |
150 |
DFN5X6-8 |