Транзистор SM6130NSKP
SM6130NSKP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN5X6-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 37.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 36 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0145 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 140 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SM6130NSKP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD18537NKCS |
PTH |
N |
94 |
60 |
20 |
3.5 |
50 |
0.014 |
14 |
3.2 |
136 |
175 |
TO-220 |
| MTB20N06J3 |
SMD |
N |
60 |
60 |
20 |
- |
42 |
0.0146 |
43 |
7 |
95 |
175 |
TO-252 |
| STN4110 |
SMD и PTH |
N |
63 |
60 |
20 |
3 |
40 |
0.012 |
29 |
6.5 |
105 |
175 |
TO-251,TO-252 |