Транзистор SM6A12NSU

SM6A12NSU - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 33 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.9 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 10 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 112 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SM6A12NSU можно заменить на:

Нет элементов для замены