Транзистор SM8007NSU
SM8007NSU - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 66 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 60 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 290 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SM8007NSU можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SM8007NSF |
PTH |
N |
100 |
80 |
25 |
4 |
66 |
0.012 |
55 |
11 |
290 |
175 |
TO-220 |