Справочник электронных компонентов

Транзистор SMG3407

SMG3407 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SC-59

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.38 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.1 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.052 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SMG3407 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM9435P	SMD	P	3.1	30	20	1	6.5	0.049	7.7	5	120	150	SO-8
AO3407G	SMD	P	1.4	30	20	-	4.1	0.04	-	5	120	150	SOT-23
AO4443	SMD	P	3.1	40	20	2.6	6	0.042	-	4.3	97	150	SO-8
AP2309GEN-HF	SMD	P	1.38	30	20	-	4.2	0.0413	-	4.5	100	150	SOT-23
AP2615GEY	SMD	P	2	30	20	3	5	0.052	-	4.5	100	150	SOT-26
KO3407	SMD	P	1.4	30	20	3	4.1	0.052	14.3	5	120	150	SOT-23
MMP9567	SMD	P	2.5	40	25	3	6	0.05	7.49	3.56	104.6	150	SO-8
MTP452M3	SMD	P	2	30	20	-	5.3	0.05	-	3	55	150	SOT-89
MTP9435Q8	SMD	P	2.5	30	20	-	5.6	0.05	-	5	68	150	SOP-8
SSF3637S	SMD	P	3.1	30	20	-	6.6	0.045	-	5	110	150	SOP-8
STT6405	SMD	P	2	30	20	-	5	0.05	-	5	120	150	TSOP-6