Справочник электронных компонентов

Транзистор SMK2050CI

SMK2050CI - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.26 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 65 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 375 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 355 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SMK2050CI можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOK42S60	PTH	N	417	600	30	-	39	0.099	40	53	135	150	TO-247
AOK53S60	PTH	N	520	600	30	3.8	53	0.07	59	102	222	150	TO-247
AOT42S60	PTH	N	417	600	30	-	37	0.109	40	53	135	150	TO-220
HCH20NT60V	PTH	N	208	600	30	3.5	20	0.19	54	110	300	150	TO-3P
HCP20NT60V	PTH	N	208	600	30	3.5	20	0.19	54	110	300	150	TO-220
SIHB23N60E	SMD	N	227	600	30	4	23	0.158	63	38	119	150	TO-263
SIHG22N50D	PTH	N	312	500	30	5	22	0.23	49	42	169	150	TO-247AC
SIHG23N60E	PTH	N	227	600	30	4	23	0.158	63	38	119	150	TO-247AC
SIHG32N50D	PTH	N	390	500	30	5	30	0.15	64	75	225	150	TO-247AC
SIHP23N60E	PTH	N	227	600	30	4	23	0.158	63	38	119	150	TO-220AB