Справочник электронных компонентов

Транзистор SML100A9

SML100A9 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.1 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 150 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 3050 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SML100A9 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT12067B2FLLG	PTH	N	565	1200	30	5	18	0.67	150	19	660	150	TMAX
APT12067B2LLG	PTH	N	565	1200	30	5	18	0.67	150	19	660	150	TMAX
APT12067JFLL	Модуль	N	463	1200	30	5	17	0.67	150	19	660	150	ISOTOP
APT12067LFLLG	PTH	N	565	1200	30	5	18	0.67	150	19	660	150	TO-264
APT12067LLLG	PTH	N	565	1200	30	5	18	0.67	150	19	660	150	TO-264
BFC21	PTH	N	230	1000	-	-	9.5	1.1	90	-	2460	150	TO-264AA
BFC41	PTH	N	310	1000	-	-	11	1	90	-	2400	150	TO-247
SML1001R1AN	PTH	N	230	1000	-	-	9.5	1.1	90	-	2950	150	TO-3
SML1001R1HN	PTH	N	250	1000	-	-	9.5	1.1	130	-	2950	150	TO-258
SML1001RHN	PTH	N	250	1000	-	-	10	1	90	-	2950	150	TO-258
SML100B11	PTH	N	280	1000	30	-	11	1	150	-	3050	150	TO-247