Транзистор SML25SCM650N2A

SML25SCM650N2A - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SMD1

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 22 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.148 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 53 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 225 гр.Ц

Транзистор SML25SCM650N2A можно заменить на:

Нет элементов для замены