Справочник электронных компонентов

Транзистор SML80A12

SML80A12 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.65 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 150 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 3050 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SML80A12 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT17N80BC3G	PTH	N	208	800	20	3.9	17	0.29	90	15	1045	150	TO-247
APT17N80SC3G	SMD	N	208	800	20	3.9	17	0.29	90	15	1045	150	D3PAK
SM8A01NSF	PTH	N	208	800	30	-	13	0.38	55	45	745	150	TO-220
SM8A01NSW	PTH	N	208	800	30	4.5	13	0.38	55	45	745	150	TO-247
SM8A02NSF	PTH	N	277	800	30	4.5	17	0.31	60	44	865	150	TO-220
SM8A02NSW	PTH	N	277	800	30	4.5	17	0.31	60	44	865	150	TO-247
SML80B13	PTH	N	280	800	-	-	13	0.65	150	-	3050	150	TO-247
SML80S13	SMD	N	280	800	-	-	13	0.65	150	-	3050	150	D3PAK