Транзистор SNN01Z60Q
SNN01Z60Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.135 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 69 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 28 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SNN01Z60Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTBA5N10Q8 |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
20 |
- |
3.5 |
0.123 |
- |
15 |
28 |
150 |
SOP-8 |
| MTBB5N10L3 |
SMD |
N |
7.5 |
100 |
20 |
- |
5 |
0.125 |
- |
40 |
12 |
150 |
SOT-223 |