Транзистор SP2013

SP2013 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSON3.3X3.3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.67 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 258 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор SP2013 можно заменить на:

Нет элементов для замены