Транзистор SP8009E
SP8009E - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSON3.3X3.3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.67 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 33 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 24 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0065 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 333 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 362 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор SP8009E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SP8009EL |
SMD |
N |
1.67 |
33 |
20 |
- |
24 |
0.0065 |
333 |
- |
362 |
- |
TSON3.3X3.3 |