Транзистор SPB100N03S2
SPB100N03S2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0033 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 113 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2450 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SPB100N03S2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN3R0-60BS |
SMD |
N |
306 |
60 |
20 |
4 |
100 |
0.0032 |
110 |
26 |
971 |
175 |
D2PAK |
| SUM110N04-03P |
SMD |
N |
375 |
40 |
20 |
4 |
110 |
0.0031 |
90 |
35 |
1400 |
175 |
TO-263 |