Справочник электронных компонентов

Транзистор SPB100N08S2-07

SPB100N08S2-07 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0071 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1080 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SPB100N08S2-07 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB410L	SMD	N	333	100	25	4	150	0.0062	107	22	594	175	TO-263
AOB480L	SMD	N	333	80	25	4	180	0.0042	116	33	810	175	TO-263
AOT410L	PTH	N	333	100	25	4	150	0.0065	107	22	594	175	TO-220
AOT480L	PTH	N	333	80	25	4	180	0.0045	116	33	810	175	TO-220
AOW410	PTH	N	333	100	25	4	150	0.0065	107	22	594	175	TO-262
AOW480	PTH	N	333	80	25	4	180	0.0045	116	33	810	175	TO-262
IPT059N15N3	SMD	N	375	150	20	4	155	0.0059	-	35	630	175	HSOF-8
PSMN3R3-80BS	SMD	N	306	80	20	4	120	0.0035	104	29	701	175	D2PAK
PSMN4R3-80BS	SMD	N	306	80	20	4	120	0.0043	104	28.6	701	175	D2PAK
SPP100N08S2-07	PTH	N	300	75	20	4	100	0.0071	-	36	1080	175	TO-220
SQM120N08-05	SMD	N	375	75	20	4	120	0.0048	141	31	865	175	TO-263