Транзистор SPB70N10L
SPB70N10L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 70 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 640 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SPB70N10L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SPI70N10L |
SMD |
N |
250 |
100 |
20 |
2 |
70 |
0.016 |
- |
250 |
640 |
175 |
TO-262 |
| SPP70N10L |
PTH |
N |
250 |
100 |
20 |
2 |
70 |
0.016 |
- |
250 |
640 |
175 |
TO-220 |