Транзистор SPB80N03S2
SPB80N03S2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0034 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 110 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 325 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2420 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SPB80N03S2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN2R2-40BS |
SMD |
N |
306 |
40 |
20 |
4 |
100 |
0.0022 |
110 |
40.4 |
1671 |
175 |
D2PAK |
| STP270N04 |
PTH |
N |
330 |
40 |
20 |
4 |
120 |
0.0029 |
110 |
180 |
1800 |
175 |
TO-220 |
| STV200N55F3 |
SMD |
N |
300 |
55 |
20 |
4 |
200 |
0.0025 |
100 |
150 |
1450 |
175 |
PowerSO-10 |
| SUM110N04-03P |
SMD |
N |
375 |
40 |
20 |
4 |
110 |
0.0031 |
90 |
35 |
1400 |
175 |
TO-263 |