Транзистор SPD04N80C3
SPD04N80C3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 63 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор SPD04N80C3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| C2M1000170D |
PTH |
N |
69 |
1700 |
25 |
2.4 |
4.9 |
1.1 |
13 |
46 |
12 |
150 |
TO-247-3 |
| MMD80R900PRH |
SMD |
N |
75.8 |
800 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17.6 |
22.4 |
508 |
150 |
TO-252 |
| SPP04N80C3 |
PTH |
N |
63 |
800 |
- |
- |
4 |
1.3 |
20 |
- |
- |
- |
TO-220 |
| STD7N80K5 |
SMD |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
DPAK |
| STD7NM80 |
SMD |
N |
90 |
800 |
30 |
5 |
6.5 |
0.85 |
18 |
- |
- |
150 |
DPAK |
| STD7NM80-1 |
PTH |
N |
90 |
800 |
30 |
5 |
6.5 |
1.05 |
18 |
- |
- |
150 |
IPAK |
| STD8N80K5 |
SMD |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
0.95 |
16.5 |
14 |
50 |
150 |
DPAK |
| STP7N80K5 |
PTH |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
TO-220 |
| STP8N80K5 |
PTH |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
0.95 |
16.5 |
14 |
50 |
150 |
TO-220 |
| STU6N95K5 |
PTH |
N |
90 |
950 |
30 |
5 |
9 |
1.25 |
13 |
12 |
30 |
150 |
IPAK |
| STU7N80K5 |
PTH |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
IPAK |
| STU8N80K5 |
PTH |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
0.95 |
16.5 |
14 |
50 |
150 |
IPAK |