SPN02N60S5 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
- SMD-код: 02N60S5
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 7.4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 110 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SPN02N60S5 можно заменить на:
Нет элементов для замены