SPN65T10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в разных корпусах как для поверхностного монтажа, так и с выводами для монтажа через отверстия
- Корпус: TO-220,TO-262,TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 68 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 57 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 261 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SPN65T10 можно заменить на:
Нет элементов для замены