Транзистор SQ2301ES

SQ2301ES - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-236

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.9 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.12 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 5 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SQ2301ES можно заменить на:

Нет элементов для замены