Транзистор SQ2325ES

SQ2325ES - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-236

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.84 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.77 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 7.4 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SQ2325ES можно заменить на:

Нет элементов для замены