Транзистор SQ3426EEV
SQ3426EEV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSOP-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.042 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 7.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 85 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SQ3426EEV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SQ3426EV |
SMD |
N |
5 |
60 |
20 |
2.5 |
7 |
0.042 |
6.3 |
12 |
85 |
175 |
TSOP-6 |